เมืองคาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–30 มิถุนายน 2026

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) เปิดตัว “ TPM1R408RH” Power MOSFET ชนิด N-Channel ขนาด 80V ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี U-MOS11-H ซึ่งเป็นกระบวนการผลิตเจเนอเรชันล่าสุดของ Toshiba^[1] MOSFET รุ่นนี้มุ่งเน้นการใช้งานในอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์และสถานีฐานระบบสื่อสารโทรคมนาคม โดยเริ่มจัดส่งสินค้าตั้งแต่วันนี้เป็นต้นไป

การเติบโตอย่างต่อเนื่องของการประมวลผลด้วยปัญญาประดิษฐ์ส่งผลให้ความต้องการพลังงานไฟฟ้าในศูนย์ข้อมูลเพิ่มสูงขึ้น ในขณะเดียวกัน ความก้าวหน้าของโครงสร้างพื้นฐานด้านการสื่อสารก็ยิ่งทำให้ความต้องการแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดมีความเข้มงวดมากขึ้น โดยต้องมีประสิทธิภาพที่สูงขึ้น มีขนาดที่เล็กลง (ความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าสูงขึ้น) และมีสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ที่ต่ำลง เนื่องจากการสูญเสียพลังงานไฟฟ้าส่งผลกระทบโดยตรงต่อการใช้พลังงานของระบบ การเกิดความร้อน และภาระของระบบทำความเย็น ดังนั้น การเลือกใช้สารกึ่งตัวนำกำลังที่มีคุณสมบัติช่วยลดทั้งการสูญเสียจากการนำกระแสไฟฟ้าและการสูญเสียจากการสลับสถานะอย่างสมดุลจึงเป็นสิ่งสำคัญ ซึ่งสิ่งนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่ระบบในภาพรวม ทั้งด้านการลดสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า การออกแบบระบบระบายความร้อน และความสะดวกในการติดตั้งอุปกรณ์

TPM1R408RH โดดเด่นด้วยโครงสร้างอุปกรณ์ที่ได้รับการปรับแต่งให้มีความเหมาะสม และสามารถทำค่าความต้านทานขณะเปิดได้ต่ำสุดถึง 1.4 มิลลิโอห์ม (ค่าสูงสุด)^[2] ซึ่งต่ำลงประมาณ 26% เมื่อเทียบกับรุ่น “TPM1R908QM” ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ขนาด 80V ของ Toshiba ที่ผลิตด้วยกระบวนการ U-MOS X-H เจเนอเรชันก่อนหน้า นอกจากนี้ ยังปรับปรุงความสมดุลระหว่างค่าความต้านทานขณะเปิด (R_DS(ON) ) และค่าประจุไฟฟ้าทั้งหมดที่เกต (Q_g ) ส่งผลให้ดัชนีชี้วัดประสิทธิภาพลดลงประมาณ 45%, R_DS(ON) × Q_g เมื่อเทียบกับรุ่น TPM1R908QM ซึ่งคุณลักษณะเหล่านี้แสดงถึงระดับการสูญเสียพลังงานที่ต่ำ^[3] ในระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม

นอกจากนี้ TPM1R408RH ยังช่วยลดแรงดันกระชากที่เกิดขึ้นระหว่างเดรนและซอร์สขณะสลับสถานะ ทำให้สัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้าในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดลดลงได้เป็นอย่างดี ซึ่งโดยปกติแล้ว การขจัดสัญญาณรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้ามักจำเป็นต้องมีการแก้ไขงานในขั้นตอนท้าย ๆ ของการออกแบบระบบ แต่การยับยั้งแรงดันกระชากที่เกิดขึ้นจากตัวอุปกรณ์ตั้งแต่ต้นจะช่วยลดขั้นตอนการแก้ไขงานดังกล่าว อีกทั้งช่วยให้การออกแบบวงจรกรองสัญญาณและวงจรสนับเบอร์เป็นไปได้โดยง่ายและไม่ซับซ้อน

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้ตัวถังแบบ SOP Advance(E) ซึ่งช่วยลดค่าความต้านทานไฟฟ้าของตัวถังลงได้ประมาณ 65% และลดค่าความต้านทานความร้อนลงได้ประมาณ 15% เมื่อเทียบกับตัวถังแบบ SOP Advance(N) รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ทั้งนี้ ตัวถังรุ่นใหม่นี้ช่วยสนับสนุนการออกแบบอุปกรณ์จ่ายไฟให้สามารถจ่ายกำลังไฟได้สูงขึ้นและมีขนาดที่กะทัดรัดยิ่งขึ้นด้วยการยับยั้งการเกิดความร้อนและช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการระบายความร้อน

Toshiba ยังมีเครื่องมือที่ช่วยสนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟแบบสวิตช์โหมด โดยนอกเหนือจากโมเดล G0 SPICE ที่ใช้ตรวจสอบการทำงานของวงจรได้อย่างรวดเร็วแล้ว ยังมี โมเดล G2 SPICE ที่มีความแม่นยำสูง ซึ่งสามารถจำลองคุณลักษณะสภาวะชั่วขณะได้อย่างเสมือนจริงพร้อมให้ใช้งานอีกด้วย นอกจากนี้ เครื่องมือจำลองวงจรออนไลน์บนเว็บไซต์ของ Toshiba ยังช่วยให้ผู้ใช้งานสามารถตรวจสอบการทำงานของวงจรผ่านเว็บเบราว์เซอร์ได้อย่างง่ายดายโดยไม่จำเป็นต้องติดตั้งสภาพแวดล้อมสำหรับการจำลองระบบหรือดาวน์โหลดโมเดลของอุปกรณ์ (เครื่องมือจำลองวงจรออนไลน์: ที่นี่ )

Toshiba จะยังคงเดินหน้าขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ Power MOSFET ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการจัดการพลังงานของอุปกรณ์จ่ายไฟอย่างต่อเนื่อง เพื่อช่วยลดการใช้พลังงานไฟฟ้าในอุปกรณ์อุตสาหกรรมต่อไป

หมายเหตุ:
[1] ข้อมูล ณ เดือนมิถุนายน 2026 อ้างอิงตามกระบวนการผลิต Power MOSFET แรงดันไฟฟ้าต่ำของ Toshiba
[2] V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C
[3] การสำรวจข้อมูลของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2026

การนำไปใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดสำหรับศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์และสถานีฐานระบบสื่อสารโทรคมนาคม

คุณสมบัติเด่น

•  ค่าความต้านทานขณะเปิดต่ำ: R_DS(ON) =1.4 มิลลิโอห์ม (ค่าสูงสุด) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C)
•  ค่าความต้านทานขณะเปิด × ค่าประจุไฟฟ้าทั้งหมดที่เกต: R_DS(ON) ×Q_g ＝ 1.4 มิลลิโอห์ม × 80 นาโนคูลอมบ์ = 112 มิลลิโอห์ม・นาโนคูลอมบ์ (ซึ่งต่ำลงประมาณ 45% เมื่อเทียบกับรุ่น TPM1R908QM ที่มีค่าเท่ากับ 1.9 มิลลิโอห์ม × 108 นาโนคูลอมบ์ = 205.2 มิลลิโอห์ม・นาโนคูลอมบ์)
• การเลือกใช้ตัวถังแบบ SOP Advance(E) ที่มีความต้านทานไฟฟ้าของตัวถังต่ำ และมีความต้านทานความร้อนต่ำ

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(นอกจากจะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =25°C)
รหัสสินค้า				TPM1R408RH
ขีดจำกัดสูงสุดที่ยอมรับได้	แรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรนและซอร์ส VDSS (V)			80
	กระแสไฟฟ้าที่เดรน (DC) ID (A)	Tc =25°C		288
	อุณหภูมิของแชนเนล Tch (°C)			175
คุณลักษณะทางไฟฟ้า	ความต้านทานขณะนำกระแสระหว่างเดรนและซอร์ส RDS(ON) (mΩ)	VGS =10V	ค่าสูงสุด	1.4
		VGS =8V	ค่าสูงสุด	1.7
	ค่าประจุไฟฟ้าทั้งหมดที่เกต Qg (nC)	VGS =10V	ค่าปกติ	80
	ค่าประจุไฟฟ้าการสวิตช์ที่เกต Qsw (nC)		ค่าปกติ	23
	ค่าประจุไฟฟ้าเอาท์พุต Qoss (nC)		ค่าปกติ	161
	เวลาในการฟื้นตัวย้อนกลับ trr (ns)		ค่าปกติ	74
	ค่าประจุไฟฟ้าในการฟื้นตัวย้อนกลับ Qrr (nC)		ค่าปกติ	115
ตัวถัง	ชื่อ			SOP Advance(E)
	ขนาด (มม.)		ค่าปกติ	4.9×6.1×1.0
การดูตัวอย่างสินค้าและความพร้อมจัดส่ง				สั่งซื้อออนไลน์

คลิกที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่นี้
TPM1R408RH

คลิกที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET

คุณสามารถตรวจสอบความพร้อมให้บริการผลิตภัณฑ์ใหม่นี้กับตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ได้ที่:
TPM1R408RH
สั่งซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทรายนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาสินค้า ข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาการบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ออกประกาศนี้ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยพนักงานกว่า 17,400 คนทั่วโลกของบริษัทยังคงมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ โดยบริษัทยังมุ่งหวังที่จะร่วมสร้างและสนับสนุนอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกๆ ที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260629095995/en

Contacts

ช่องทางสอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
แผนกการขายและการตลาดอุปกรณ์กำลังและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางสอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
ซี. นางาซาวา
แผนกสื่อสารองค์กรและข่าวกรองการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation