KIOXIA NX1 Series Data Center NVMe™ SSD ใหม่ เพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน พร้อมรองรับระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวโดยตรง

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–29 กรกฎาคม 2026

Kioxia Corporation วันนี้ได้ประกาศเปิดตัว KIOXIA NX1 Series ของไดรฟ์โซลิดสเตต (SSD) ซึ่งเป็นรุ่นใหม่ของ E1.S PCIe^® 5.0 NVMe™ Data Center SSD และเป็น SSD รุ่นแรกของ Kioxia ที่รองรับระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวโดยตรง KIOXIA NX1 Series มาพร้อมกับสถาปัตยกรรมตัวควบคุมที่พัฒนาขึ้นภายในบริษัทเป็นรุ่นถัดไปของ Kioxia ซึ่งช่วยเปิดขีดความสามารถอันเป็นเอกลักษณ์ในปัจจุบัน พร้อมทั้งวางรากฐานสำหรับฟีเจอร์ต่างๆ ในอนาคต โดยไดรฟ์รุ่นใหม่นี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อมอบหน่วยจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูงและประหยัดพลังงานสำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับหน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU) และสภาพแวดล้อมศูนย์ข้อมูลระดับไฮเปอร์สเกล

KIOXIA NX1 Series เป็นรุ่นสืบทอดของ KIOXIA XD Series และใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพของ PCIe^® 5.0 เพื่อช่วยผู้ให้บริการคลาวด์และผู้ให้บริการระดับไฮเปอร์สเกลในการปรับปรุงโครงสร้างพื้นฐานให้เหมาะสม โดยที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพในการดำเนินงานไว้ได้ เมื่อเปรียบเทียบกับรุ่นก่อนหน้า¹ KIOXIA NX1 SSDs มอบประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบต่อเนื่องสูงขึ้นถึงประมาณ 38% และประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบสุ่มสูงขึ้นถึงประมาณ 20%²

ในขณะที่โครงสร้างพื้นฐาน AI ยังคงขยายตัวอย่างต่อเนื่อง หน่วยจัดเก็บข้อมูลต้องก้าวตามให้ทันกับการออกแบบเซิร์ฟเวอร์ที่มีความหนาแน่นเพิ่มขึ้นและเต็มไปด้วยตัวเร่งความเร็ว โดยรูปแบบขนาด E1.S ช่วยเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยจัดเก็บข้อมูลได้สูงสุด ในขณะเดียวกันก็รองรับการจัดการความร้อนขั้นสูง รวมถึงรูปแบบการระบายความร้อนด้วยของเหลวโดยตรงที่เข้ากันได้กับแผ่นความเย็น ซึ่งช่วยให้การระบายความร้อนเป็นไปอย่างมีประสิทธิภาพในสภาพแวดล้อมเซิร์ฟเวอร์ AI สมรรถนะสูง

ฟีเจอร์เพิ่มเติม:

• พร้อมให้บริการในรูปแบบขนาด E1.S 9.5 มม. (รองรับระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวโดยตรงและระบบระบายความร้อนด้วยอากาศ) และ E1.S 15 มม. (รองรับระบบระบายความร้อนด้วยอากาศ)
•  1 DWPD (Drive Writes Per Day) สำหรับแอปพลิเคชันที่เน้นการอ่านข้อมูล โดยมีกลุ่มความจุให้เลือกตั้งแต่ 1.92 TB ไปจนถึง 15.36 TB³
•  เป็นไปตามข้อกำหนดทางเทคนิคของ PCIe^® 5.0, NVMe™ 2.0 และ Open Compute Project (OCP) Datacenter NVMe™ SSD 2.6 รวมถึงรองรับ NVMe Flexible Data Placement (FDP)
• ผลิตด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ KIOXIA BiCS FLASH™ generation 8 TLC โดยใช้สถาปัตยกรรม CMOS directly Bonded to Array (CBA)
•  รูปแบบความปลอดภัยที่เป็นทางเลือกแบบ Self-Encrypting Drive (SED) ซึ่งเป็นไปตามมาตรฐาน TCG Opal^4,5

ขณะนี้ KIOXIA NX1 Series อยู่ระหว่างการส่งมอบผลิตภัณฑ์ตัวอย่างให้แก่ลูกค้ากลุ่มไฮเปอร์สเกลบางราย โดยไดรฟ์รุ่นใหม่นี้จะนำไปจัดแสดงที่ FMS: the Future of Memory and Storage ซึ่งจะจัดขึ้นในวันที่ 4 – 6 สิงหาคม ณ เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย

บทความ KIOXIA Insights ที่เกี่ยวข้อง: โซลูชันหน่วยจัดเก็บข้อมูลที่ช่วยเพิ่มขีดความสามารถให้กับ AI

หมายเหตุ:

1: เมื่อเทียบกับ KIOXIA XD8 Series SSD

2: ความเร็วในการอ่านและการเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่าง ๆ เช่น อุปกรณ์โฮสต์ ซอฟต์แวร์ (ไดรเวอร์ ระบบปฏิบัติการ ฯลฯ) และเงื่อนไขการอ่าน/การเขียน

3: นิยามของความจุ: Kioxia Corporation นิยามว่าเมกะไบต์ (MB) เท่ากับ 1,000,000 ไบต์ กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และเทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของหน่วยจัดเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับนิยามของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ จึงแสดงความจุของหน่วยจัดเก็บข้อมูลน้อยกว่า ความจุของหน่วยจัดเก็บข้อมูลที่ใช้งานได้จริง (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่าง ๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การฟอร์แมต การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งมาล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ทั้งนี้ความจุที่ฟอร์แมตแล้วจริงอาจแตกต่างกันไป

4: รุ่น SED ที่เป็นทางเลือก รองรับ TCG Opal SSC ยกเว้นบางฟีเจอร์

5: รุ่น SED ที่เป็นทางเลือก ไม่มีจำหน่ายในบางประเทศ เนื่องจากข้อบังคับท้องถิ่น

NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนหรือไม่จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่น ๆ

OCP และ OPEN COMPUTE PROJECT เป็นเครื่องหมายการค้าของ Open Compute Project Foundation

PCI Express และ PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทภายนอก

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทด้านการพัฒนา การผลิต รวมถึงการจำหน่ายแฟลชเมมโมรีและไดรฟ์โซลิดสเตต (SSD) โดยในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ที่เป็นผู้สืบทอดรุ่นก่อนหน้า ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นแฟลชเมมโมรีแบบ NAND ในปี 1987 ทั้งนี้ Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบต่าง ๆ ที่สร้างทางเลือกให้แก่ลูกค้า และสร้างคุณค่าที่ขับเคลื่อนด้วยหน่วยความจำให้แก่สังคม นอกจากนี้ เทคโนโลยีแฟลชเมมโมรีแบบ 3D อันเป็นนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังกำหนดทิศทางอนาคตของหน่วยจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, PC, ระบบยานยนต์, ศูนย์ข้อมูล และระบบปัญญาประดิษฐ์เชิงสร้างสรรค์ (Generative AI)

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260728553833/en

Contacts

ช่องทางสอบถามข้อมูลสำหรับสื่อมวลชน:
Kioxia Corporation
Promotion Management Division
Satoshi Shindo
โทรศัพท์: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation